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Area Micro-electromechanical systems (MEMS) / Machining technology

IEV ref 523-05-15

en
atomic layer deposition
ALD
thin film deposition technique at atomic-level resolution thickness

Note 1 to entry: By changing the precursor gases sequentially, a chemical deposition process can be controlled down to the atomic or molecular scale. In the molecular beam epitaxy process, one of the related techniques, the deposited layer has the same crystal structure as that of the mono-crystalline substrate.

Note 2 to entry: This note applies to the French language only.


[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.32]


fr
dépôt de couches atomiques, m
ALD, m
technique de dépôt de couches minces dont la résolution en épaisseur est de l'ordre de l'atome

Note 1 à l’article: En modifiant de manière séquentielle les gaz précurseurs, le procédé de dépôt chimique peut être contrôlé jusqu'à l'échelle atomique ou moléculaire. Dans le procédé d'épitaxie par faisceaux moléculaires, qui est une des techniques connexes, la couche déposée a la même structure cristalline que celle d'un substrat monocristallin.

Note 2 à l’article: Le terme abrégé "ALD" est dérivé du terme anglais développé correspondant "atomic layer deposition".


[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.32]


de
Atomlagenabscheidung, f
ALD

ja
原子層堆積プロセス

nl BE
afzetting van atoomlagen, f
ALD, f

pl
osadzanie warstw atomowych, n
ALD

pt
deposição de camadas atómicas
ALD

zh
原子层沉积
ALD

Publication date: 2018-12
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