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Area Micro-electromechanical systems (MEMS) / Functional elements

IEV ref 523-04-03

en
ISFET
ion-sensitive field-effect transistor
semiconductor sensor integrating an ion-sensitive electrode with a field-effect transistor (FET)

Note 1 to entry: In the ion-sensitive electrode section, the membrane voltage changes according to fluctuations in pH or carbon dioxide partial pressure in the blood, for example. As the voltage amplifier, the ISFET uses a FET, a transistor controlling the conductance of the current path (channels) formed by the majority carriers using an electric field perpendicular to the carrier flow. The ISFET is based on silicon micromachining technology integrating a detector and amplifier on a silicon substrate. In addition, an ISFET with mechanical components such as a valve has been developed. The ISFET is used in such fields as medical analysis and environmental instrumentation.

Note 2 to entry: This note applies to the French language only.


[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.4.13]


fr
ISFET, m
transistor à effet de champ sensible aux ions, m
capteur à semiconducteurs intégrant une électrode sensible aux ions avec un transistor à effet de champ (FET, field-effect transistor)

Note 1 à l’article: Dans la section d’électrode sensible aux ions, la tension de la membrane varie selon les fluctuations du pH ou de la pression partielle en dioxyde de carbone dans le sang, par exemple. Comme l’amplificateur de tension, l’ISFET utilise un FET, un transistor contrôlant la conductance du chemin de courant (voies) formé par les porteurs majoritaires utilisant un champ électrique perpendiculaire à la circulation de porteur. L’ISFET est fondé sur la technologie du micro-usinage du silicium intégrant un détecteur et un amplificateur sur un substrat de silicium. De plus, un ISFET avec composants mécaniques, tels qu'une vanne, a été développé. L'ISFET est utilisé dans des domaines tels que l’analyse médicale et l’instrumentation environnementale.

Note 2 à l’article: Le terme abrégé "ISFET" est dérivé du terme anglais développé correspondant "ion-sensitive field-effect transistor".


[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.4.13]


de
ionensensitiver Feldeffekt-Transistor, m
ISFET

ja
ISFET

nl BE
ISFET, m
iongevoelige veldeffecttransistor, m

pl
jonoczuły tranzystor polowy, m
ISFET

pt
ISFET
transistor a efeito de campo sensível aos iões

zh
离子敏场效应晶体管
ISFET

Publication date: 2018-12
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