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Area Nuclear instrumentation: Physical phenomena, basic concepts, instruments, systems, equipment and detectors / Radiation detectors

IEV ref 395-03-45

en
boron coated semiconductor detector
semiconductor detector containing 10B in the form of a surface coating to detect thermal neutrons

Note 1 to entry: The ionization is due to charged particles produced by nuclear interactions of the neutrons in the coating.

Note 2 to entry: This entry was numbered 394-28-11 in IEC 60050-394:2007.


fr
détecteur semiconducteur à dépôt de bore, m
DÉCONSEILLÉ: semicteur à dépôt de bore, m
détecteur semiconducteur contenant du 10B sous forme d’un dépôt en surface et destiné à détecter les neutrons thermiques

Note 1 à l'article: L’ionisation est due aux particules chargées produites par réaction nucléaire des neutrons dans le dépôt.

Note 2 à l'article: Cet article était numéroté 394-28-11 dans la CEI 60050-394:2007.


de
Halbleiterdetektor mit Borbelag, m

es
detector de semiconductor de depósito de boro, m

it
rivelatore a semiconduttore a deposito di boro

ko
붕소 도포형 반도체 검출기

ja
ほう素塗布半導体検出器

pl
detektor półprzewodnikowy z pokryciem borowym, m

pt
detetor semicondutor com revestimento de boro

zh
涂硼半导体探测器

Publication date: 2014-03
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